4月2日午后分析：IGBT芯片概念報(bào)漲，士蘭微漲超10%

　　4月2日午后南方財(cái)富網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，IGBT芯片概念報(bào)漲，士蘭微（29.32，2.67，10.019%）領(lǐng)漲，斯達(dá)半導(dǎo)(193.99，14.53，8.097%)、華微電子(6.91，0.38，5.819%)、匯川技術(shù)(91.01，4.28，4.935%)等跟漲。

　　相關(guān)IGBT芯片概念股有：

　　(1)士蘭微：LED電源驅(qū)動(dòng)電路、各類(lèi)AC-DC電源電路、MEMS傳感器產(chǎn)品、以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、高壓集成電路和智能功率模塊產(chǎn)品、美卡樂(lè)高可靠性指標(biāo)的LED彩屏像素管等新技術(shù)產(chǎn)品都是公司近幾年在這個(gè)技術(shù)研發(fā)體系中依靠自身的高強(qiáng)度投入和積累完成的。

　　(2)斯達(dá)半導(dǎo)：涵蓋了IGBT芯片、快恢復(fù)二極管芯片和IGBT模塊的設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品測(cè)試、產(chǎn)品應(yīng)用等，在半導(dǎo)體技術(shù)、電力電子、控制、材料、力學(xué)、熱學(xué)、結(jié)構(gòu)等多學(xué)科具備了深厚的技術(shù)積累。

　　(3)華微電子：公司發(fā)揮自身產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)優(yōu)勢(shì)，已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產(chǎn)品到第六代IGBT國(guó)內(nèi)最齊全、最具競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品體系，正逐步由單一器件供應(yīng)商向整體解決方案供應(yīng)商轉(zhuǎn)變;同時(shí)公司積極向新能源汽車(chē)、軍工等領(lǐng)域快速拓展，并已取得明顯效果，為公司發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

　　(4)匯川技術(shù)：（公司并不生產(chǎn)IGBT芯片）。

　　(5)揚(yáng)杰科技：公司于2018年3月控股一條位于宜興的6寸晶圓線(xiàn)，該生產(chǎn)線(xiàn)目前已能夠小批量生產(chǎn)IGBT芯片。

　　數(shù)據(jù)由南方財(cái)富網(wǎng)提供，僅供參考，不構(gòu)成投資建議，股市有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。