OPPO Find X8發(fā)布,英諾賽科為其注入AllGaN黑科技

　　10月24日，全球領先的智能終端制造商OPPO了最新的旗艦手機 Find X8/X8 pro，主打輕薄直屏和影像旗艦，天璣9400處理器與潮汐引擎的超強配置，配合冰川電池與極速充電技術(shù)，能夠為用戶帶來流暢的操作體驗和持久的續(xù)航表現(xiàn)。

　　據(jù)了解，OPPO 此次的Find X8/X8 pro系列手機采用了英諾賽科全鏈路氮化鎵（AllGaN）技術(shù)，從電源側(cè)的快速充電（80W超級閃充和50W無線充）到手機內(nèi)部主板的充電過壓保護（OVP），均采用了英諾賽科氮化鎵。

　　據(jù)悉，英諾賽科是全球功率半導體革命的者，也是全球最大的氮化鎵芯片制造企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈商業(yè)模式，并在全球范圍內(nèi)首次實現(xiàn)了先進的8英寸氮化鎵量產(chǎn)工藝，是全球氮化鎵行業(yè)的龍頭企業(yè)，于2023-2024年，連續(xù)2年入選“胡潤全球獨角獸榜”。

　　英諾賽科的氮化鎵產(chǎn)品用于各種低中高壓應用場景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項專利及專利申請，產(chǎn)品可廣泛應用于消費電子、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等前沿領域。

　　全鏈路氮化鎵（AllGaN）技術(shù)

　　第三代半導體氮化鎵材料具備高能效、高頻率的特性，能夠打造體積更小、充電更快且安全性更高的產(chǎn)品。

　　OPPO 在Find X8/X8 pro系列手機主板充電過壓保護和50W無線充產(chǎn)品中，采用了英諾賽科40V雙向?qū)�通芯片VGaN，一顆替代兩顆背靠背的 Si MOS，簡化了內(nèi)部空間，使產(chǎn)品設計更加輕薄。同時，VGaN 具備雙向?qū)�通或關(guān)斷的特性，能在手機充電過程中對電池進行主動保護，增強了安全性和使用壽命。50W無線充更是滿足了用戶隨時隨地快速充電的需求。

　　充電側(cè)的超級閃充則采用了英諾賽科高壓GaN，該芯片采用TO-252 封裝，阻抗更低，散熱更強，效率更高。根據(jù) OPPO 數(shù)據(jù)對比，采用英諾賽科高壓 GaN 的80W 超級閃充與此前標配的80W適配器相比，體積減小約18%，隨身攜帶更方便。

　　全球領先的智能終端制造商選擇與英諾賽科長期深度合作，體現(xiàn)了其對創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品性能的信心和決心。據(jù)了解，該廠商已有多個系列產(chǎn)品（包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充）的主板和充電器均采用了英諾賽科 AllGaN 技術(shù)，實現(xiàn)了產(chǎn)品性能與競爭力的領先。

　　氮化鎵賦能未來，共促行業(yè)創(chuàng)新

　　氮化鎵材料以其高頻、高電子遷移率、強抗輻射能力及低導通電阻等卓越特性，正逐步改變功率半導體行業(yè)格。機構(gòu)，2023年至2028年間，全球氮化鎵功率半導體市場規(guī)模將實現(xiàn)指數(shù)級增長，復合年增長率高達98.5%，市場潛力巨大。

　　作為全球功率半導體革命的先驅(qū)，英諾賽科持續(xù)引領氮化鎵功率半導體行業(yè)進入加速發(fā)展階段，弗若斯特沙利文預計至2028年，全球市場規(guī)模將達到501.4億元人民幣。

　　占據(jù)優(yōu)勢賽道，據(jù)悉，英諾賽科最近三年業(yè)務高速增長，收入由2021年的6821.5萬元（人民幣，下同）增加至2023年的5.9億元，2021年-2023年，收入復合年增長率高達194.8%。

　　一方面全球氮化鎵下游應用進入爆發(fā)期，需求端強力拉動，另一方面得益于公司長期富有遠見的布，英諾賽科采用IDM模式，在產(chǎn)品設計、工藝制造、測試及下游應用等方面持續(xù)大量投入，確立了獨特且無可比擬的技術(shù)領先地位及綜合運營優(yōu)勢，能夠有效滿足市場強勁需求。

　　作為第三代半導體氮化鎵革命的者，未來，英諾賽科將持續(xù)深耕，期待以更加卓越的技術(shù)，助力更多行業(yè)廠商，打造更極致更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，共同推動行業(yè)創(chuàng)新及應用。